RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Сравнить
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB против SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Средняя оценка
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
39
Около 31% меньшая задержка
Причины выбрать
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.3
11.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.4
7.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
39
Скорость чтения, Гб/сек
11.8
13.3
Скорость записи, Гб/сек
7.3
9.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2057
2419
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Сравнения RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB Сравнения RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link