RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Сравнить
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB против A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
42
Около -68% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.9
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
25
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
19.0
Скорость записи, Гб/сек
9.0
14.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
3683
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link