RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Сравнить
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB против Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
42
101
Около 58% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.0
6.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.9
10.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
101
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
13.9
Скорость записи, Гб/сек
9.0
6.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
1311
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Inmos + 256MB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Avant Technology J644GU44J9266NQ 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link