RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Сравнить
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB против Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
42
Около -68% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.9
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
25
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
15.9
Скорость записи, Гб/сек
9.0
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
3023
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB Сравнения RAM
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMW32GX4M2C3000C15 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Corsair CMZ32GX3M4A1866C9 8GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link