RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
Сравнить
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB против Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
42
Около -68% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.1
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.2
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
25
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
19.1
Скорость записи, Гб/сек
9.0
15.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
3768
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link