RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
Сравнить
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB против Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
42
Около -68% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.1
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.2
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
25
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
19.1
Скорость записи, Гб/сек
9.0
15.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
3768
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link