RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Сравнить
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
10.6
9.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.0
6.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
41
42
Около -2% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
41
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
9.3
Скорость записи, Гб/сек
9.0
6.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
2044
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link