RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
14.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,404.5
10.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
104
Около -174% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
38
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
14.2
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
2807
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link