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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
比较
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
总分
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
总分
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
14.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,404.5
10.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
104
左右 -174% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
104
38
读取速度,GB/s
3,192.0
14.2
写入速度,GB/s
2,404.5
10.6
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
786
2807
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM的比较
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Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB RAM的比较
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
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