RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
13.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
104
Около -300% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.9
2,404.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
26
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
13.4
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
9.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
2563
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB Сравнения RAM
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
UMAX Technology 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link