RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
14.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,404.5
11.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
104
Около -189% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
36
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
14.5
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
11.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
3001
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link