RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
18.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,404.5
14.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
104
Около -235% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
31
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
18.3
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
14.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
3414
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link