RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Comparez
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Note globale
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
18.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,404.5
14.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
104
Autour de -235% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
104
31
Vitesse de lecture, GB/s
3,192.0
18.3
Vitesse d'écriture, GB/s
2,404.5
14.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
786
3414
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link