Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB

-->

Средняя оценка

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB

G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

3 20.3

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

2,404.5 17.8

Среднее значение в тестах

G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

24 104

Около -333% меньшая задержка
Выше пропускная способность

17000 6400

Около 2.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

104 24
Скорость чтения, Гб/сек

3,192.0 20.3
Скорость записи, Гб/сек

2,404.5 17.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 17000

Other

Описание

PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

no data 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

786 4122

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB

Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB

Kingston 9905701-018.A00G 16GB

Kingston 9905701-018.A00G 16GB

модули RAM

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB

Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB

модули RAM

AMD R538G1601U2S 8GB

AMD R538G1601U2S 8GB

Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB

Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB

модули RAM

Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB

Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB

V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB

V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB

модули RAM

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

Kingston 99U5702-020.A00G 8GB

Kingston 99U5702-020.A00G 8GB

модули RAM

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB

G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB

модули RAM

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB

Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB

модули RAM

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB

модули RAM

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB

Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB

модули RAM

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB

Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB

модули RAM

Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB

Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB

SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB

SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB

модули RAM

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB

Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB

модули RAM

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB

Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB

модули RAM

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB

Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB

модули RAM