RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
13.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
104
Около -316% меньшая задержка
Выше скорость записи
6.3
2,404.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
25
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
13.3
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
6.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
1617
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link