RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Confronto
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Punteggio complessivo
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
13.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
104
Intorno -316% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
6.3
2,404.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
104
25
Velocità di lettura, GB/s
3,192.0
13.3
Velocità di scrittura, GB/s
2,404.5
6.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
786
1617
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
AMD R948G2806U2S 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link