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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB

总分
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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

总分
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Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB

Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB 需要考虑的原因
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    3 left arrow 13.3
    测试中的平均数值
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB 需要考虑的原因
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    25 left arrow 104
    左右 -316% 更低的延时
  • 更快的写入速度，GB/s
    6.3 left arrow 2,404.5
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 6400
    左右 2.66 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    104 left arrow 25
  • 读取速度，GB/s
    3,192.0 left arrow 13.3
  • 写入速度，GB/s
    2,404.5 left arrow 6.3
  • 内存带宽，mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
  • 时序/时钟速度
    no data left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    786 left arrow 1617

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM的比较

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Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB RAM的比较

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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
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Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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Kingston 9905678-006.A00G 4GB
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内存RAM
Kingston KN2M64-ETB 8GB
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Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
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内存RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
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