RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
14.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
104
Около -247% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.0
2,404.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
30
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
14.5
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
9.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
2374
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB Сравнения RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link