RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
104
122
Около 15% меньшая задержка
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
9.4
3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
5.8
2,404.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
122
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
9.4
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
5.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
1411
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Corsair CMK32GX4M2L3200C16 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link