RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
104
122
Около 15% меньшая задержка
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
9.4
3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
5.8
2,404.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
122
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
9.4
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
5.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
1411
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Lenovo LMKUFG68AHFHD-32A 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
Smart Modular SH564568FH8NZPHSCR 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link