RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Compara
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Puntuación global
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
104
122
En 15% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
9.4
3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
5.8
2,404.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
104
122
Velocidad de lectura, GB/s
3,192.0
9.4
Velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
5.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
786
1411
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link