RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Confronto
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
104
122
Intorno 15% latenza inferiore
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
9.4
3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
5.8
2,404.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
104
122
Velocità di lettura, GB/s
3,192.0
9.4
Velocità di scrittura, GB/s
2,404.5
5.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
786
1411
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Lenovo LMKUFG68AHFHD-32A 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
Smart Modular SH564568FH8NZPHSCR 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link