RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
104
Около -333% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.7
2,404.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
24
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
15.9
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
8.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
2326
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB Сравнения RAM
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
G Skill Intl F3-1280CL 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8GX 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6EFR8A
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link