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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
比较
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
总分
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
总分
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
104
左右 -333% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.7
2,404.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
104
24
读取速度,GB/s
3,192.0
15.9
写入速度,GB/s
2,404.5
8.7
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
786
2326
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM的比较
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Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
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SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
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