Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB

Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB против Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB

Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB

Средняя оценка
star star star star star
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB

Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB

Различия

  • Выше скорость чтения
    2 left arrow 11.7
    Среднее значение в тестах
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    31 left arrow 75
    Около -142% меньшая задержка
  • Выше скорость записи
    7.7 left arrow 2,072.7
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    17000 left arrow 5300
    Около 3.21 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR2 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    75 left arrow 31
  • Скорость чтения, Гб/сек
    2,730.3 left arrow 11.7
  • Скорость записи, Гб/сек
    2,072.7 left arrow 7.7
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    5300 left arrow 17000
Other
  • Описание
    PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • Тайминги / частота
    no data left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    858 left arrow 1997
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения