RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Comparez
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB vs Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Note globale
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Note globale
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
11.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
75
Autour de -142% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.7
2,072.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
75
31
Vitesse de lecture, GB/s
2,730.3
11.7
Vitesse d'écriture, GB/s
2,072.7
7.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
858
1997
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB Comparaison des RAM
Samsung M395T5160QZ4-CE65 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB Comparaison des RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link