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Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
比较
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB vs Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
总分
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
总分
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
11.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
75
左右 -142% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.7
2,072.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
75
31
读取速度,GB/s
2,730.3
11.7
写入速度,GB/s
2,072.7
7.7
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
858
1997
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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