RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Сравнить
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB против Kingston 9905625-076.A00G 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Средняя оценка
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
65
Около -171% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.1
1,574.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
24
Скорость чтения, Гб/сек
3,858.9
15.7
Скорость записи, Гб/сек
1,574.4
11.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
607
2631
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston 9905702-071.A00G 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link