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Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB vs Kingston 9905625-076.A00G 8GB
总分
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
总分
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
65
左右 -171% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.1
1,574.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
24
读取速度,GB/s
3,858.9
15.7
写入速度,GB/s
1,574.4
11.1
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
607
2631
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
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Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
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Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
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Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
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