RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Сравнить
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB против G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,201.1
13.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
74
Около -118% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
74
34
Скорость чтения, Гб/сек
4,178.4
16.5
Скорость записи, Гб/сек
2,201.1
13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
508
3199
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston KHX2133C15S4/8G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK128GX4M4A2400C16 32GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link