RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
总分
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
总分
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,201.1
13.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
74
左右 -118% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
74
34
读取速度,GB/s
4,178.4
16.5
写入速度,GB/s
2,201.1
13.5
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
508
3199
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB RAM的比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
InnoDisk Corporation 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
CompuStocx (CSX) Compustocx (CSX) 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link