RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Confronto
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
16.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,201.1
13.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
74
Intorno -118% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
74
34
Velocità di lettura, GB/s
4,178.4
16.5
Velocità di scrittura, GB/s
2,201.1
13.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
508
3199
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link