RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Сравнить
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
41
73
Около -78% меньшая задержка
Выше скорость чтения
7.8
3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
6.1
1,423.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
73
41
Скорость чтения, Гб/сек
3,510.5
7.8
Скорость записи, Гб/сек
1,423.3
6.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
476
1512
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Mushkin 996902 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 CL11 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link