RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Сравнить
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB против G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
19.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
68
Около -162% меньшая задержка
Выше скорость записи
17.2
1,702.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
68
26
Скорость чтения, Гб/сек
3,886.6
19.5
Скорость записи, Гб/сек
1,702.6
17.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
654
3840
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB Сравнения RAM
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link