RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
19.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
68
Wokół strony -162% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.2
1,702.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
68
26
Prędkość odczytu, GB/s
3,886.6
19.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,702.6
17.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
654
3840
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
SK Hynix HMT451U6AFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link