RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
19.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
68
Wokół strony -162% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.2
1,702.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
68
26
Prędkość odczytu, GB/s
3,886.6
19.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,702.6
17.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
654
3840
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
INTENSO 5641160 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link