RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-001.C00G 16GB
Сравнить
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB против Kingston 9965640-001.C00G 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
Kingston 9965640-001.C00G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
10.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston 9965640-001.C00G 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
68
Около -113% меньшая задержка
Выше скорость записи
7.8
1,702.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-001.C00G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
68
32
Скорость чтения, Гб/сек
3,886.6
10.1
Скорость записи, Гб/сек
1,702.6
7.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
654
2050
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston 9965640-001.C00G 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2800C16 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link