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Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-001.C00G 16GB
Confronto
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs Kingston 9965640-001.C00G 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Punteggio complessivo
Kingston 9965640-001.C00G 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
10.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingston 9965640-001.C00G 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
68
Intorno -113% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.8
1,702.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-001.C00G 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
68
32
Velocità di lettura, GB/s
3,886.6
10.1
Velocità di scrittura, GB/s
1,702.6
7.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
654
2050
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston 9965640-001.C00G 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
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