RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Сравнить
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB против Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Средняя оценка
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
50
Около -72% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.7
15.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.8
10.9
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
50
29
Скорость чтения, Гб/сек
15.3
17.7
Скорость записи, Гб/сек
10.9
13.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2512
3321
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Сравнения RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link