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Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
比较
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
总分
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
总分
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
50
左右 -72% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.7
15.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.8
10.9
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
50
29
读取速度,GB/s
15.3
17.7
写入速度,GB/s
10.9
13.8
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2512
3321
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB RAM的比较
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
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