RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Porównaj
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
50
Wokół strony -72% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
15.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.8
10.9
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
29
Prędkość odczytu, GB/s
15.3
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
10.9
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2512
3321
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link