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Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Confronto
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Punteggio complessivo
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
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Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
17000
Intorno 1.51% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
50
Intorno -72% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.7
15.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.8
10.9
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
50
29
Velocità di lettura, GB/s
15.3
17.7
Velocità di scrittura, GB/s
10.9
13.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
17000
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2512
3321
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
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