RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Сравнить
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB против A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Средняя оценка
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
45
Около 16% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.5
15
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
8.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
45
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
15.0
Скорость записи, Гб/сек
12.0
8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2283
2190
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9905663-007.A00G 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link