Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB против Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Средняя оценка

Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB

Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Сообщить об ошибке

Выше пропускная способность

25600 21300

Около 1.2% выше полоса пропускания

Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB

Причины выбрать
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

28 38

Около -36% меньшая задержка
Выше скорость чтения

17.9 15.5

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

14.5 12.0

Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR4 DDR4
Задержка в PassMark, нс

38 28
Скорость чтения, Гб/сек

15.5 17.9
Скорость записи, Гб/сек

12.0 14.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек

25600 21300

Other

Описание

PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2283 3453

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB

Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB

модули RAM

Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB

Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB

G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB

G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB

модули RAM

Kingston HP669238-071-HYC 4GB

Kingston HP669238-071-HYC 4GB

V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB

V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB

модули RAM

AMD R534G1601U1S-UO 4GB

AMD R534G1601U1S-UO 4GB

Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB

модули RAM

Kingston 9965669-018.A00G 16GB

Kingston 9965669-018.A00G 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

модули RAM

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Maxsun MSD44G24Q3 4GB

Maxsun MSD44G24Q3 4GB

модули RAM

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB

Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB

модули RAM

Kingston 99U5471-012.A00 4GB

Kingston 99U5471-012.A00 4GB

Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB

Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB

модули RAM

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Panram International Corporation M424016 4GB

Panram International Corporation M424016 4GB

модули RAM

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB

G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB

Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB

модули RAM

Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB

Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB

Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB

Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB

модули RAM

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB

Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB

Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB

Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB

модули RAM