RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Сравнить
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB против G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
12.0
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
38
Около -73% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.2
15.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
22
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
16.2
Скорость записи, Гб/сек
12.0
10.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2283
2706
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link