RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Сравнить
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB против InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Средняя оценка
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
38
Около -73% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.2
15.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.0
12.0
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
22
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
17.2
Скорость записи, Гб/сек
12.0
13.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2283
3007
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link