RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Сравнить
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB против Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
12.0
10.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
38
Около -19% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.2
15.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
32
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
16.2
Скорость записи, Гб/сек
12.0
10.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2283
2751
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link