RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Сравнить
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB против G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
40
47
Около -18% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
11.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.0
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
47
40
Скорость чтения, Гб/сек
11.8
16.0
Скорость записи, Гб/сек
8.0
14.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2061
2965
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link