RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Сравнить
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB против Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
45
Около -73% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.7
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.8
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
26
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
18.7
Скорость записи, Гб/сек
8.0
16.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1992
3937
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link