Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB против Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Средняя оценка
star star star star star
Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB

Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB

Различия

  • Выше скорость чтения
    12.3 left arrow 8.3
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    8.0 left arrow 4.5
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    12800 left arrow 10600
    Около 1.21% выше полоса пропускания
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    29 left arrow 45
    Около -55% меньшая задержка

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR3
  • Задержка в PassMark, нс
    45 left arrow 29
  • Скорость чтения, Гб/сек
    12.3 left arrow 8.3
  • Скорость записи, Гб/сек
    8.0 left arrow 4.5
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    12800 left arrow 10600
Other
  • Описание
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
  • Тайминги / частота
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    1992 left arrow 1196
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения