RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.3
8.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.0
4.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
12800
10600
Wokół strony 1.21% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
45
Wokół strony -55% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR3
Opóźnienie w PassMark, ns
45
29
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
8.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
4.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
10600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
1196
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273DH0-YK0 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link