RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Сравнить
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB против SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Средняя оценка
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
45
46
Около 2% меньшая задержка
Причины выбрать
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.2
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.6
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
46
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
14.2
Скорость записи, Гб/сек
8.0
13.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1992
2717
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link