RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Сравнить
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB против A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
48
Около -71% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15
8.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.5
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
48
28
Скорость чтения, Гб/сек
8.9
15.0
Скорость записи, Гб/сек
5.9
9.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1420
2932
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology HMP351S6AFR8C-S6 4GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HYMP525F72CP4D3-Y5 2GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link